2.5磁控濺射magnetronsputtering：借助于靶表面上形成的正交電磁場，把二次電子束縛在靶表面特定區域，來增強電離效率，增加離子密度和能量，因而可在低電壓，大電流下取得很高濺射速率。

2.6等離子體化學氣相沉積;PCVDplasmachemistryvapordeposition：通過放電產生的等離子體促進氣相化學反應，在低溫下，在基片上制取膜層的一種方法。

2.7空心陰極離子鍍HCDhollowcathodedischargedeposition：利用空心陰極發射大量的電子束，使坩堝內鍍膜材料蒸發并電離，在基片上的負偏壓作用下，離子具有較大能量，沉積在基片表面上的一種鍍膜方法。

2.8電弧離子鍍arcdischargedeposition：以鍍膜材料作為靶極，借助于觸發裝置，使靶表面產生弧光放電，鍍膜材料在電弧作用下，產生無熔池蒸發并沉積在基片上的一種真空鍍膜方法。

3專用部件

3.1鍍膜室coatingchamber：真空鍍膜設備中實施實際鍍膜過程的部件

3.2蒸發器裝置evaporatordevice：真空鍍膜設備中包括蒸發器和全部為其工作所需要的裝置(例如電能供給、供料和冷卻裝置等)在內的部件。

3.3蒸發器evaporator：蒸發直接在其內進行蒸發的裝置,例如小舟形蒸發器,坩堝,燈絲,加熱板,加熱棒,螺旋線圈等等,必要時還包括蒸發材料本身。

3.4直接加熱式蒸發器evaporatorbydirectheat：蒸發材料本身被加熱的蒸發器。

3.5間接加熱式蒸發器evaporatorbyindirectheat：蒸發材料通過熱傳導或熱輻射被加熱的蒸發器。

3.6蒸發場evaporationfield：由數個排列的蒸發器加熱相同蒸發材料形成的場。

3.7濺射裝置sputteringdevice：包括靶和濺射所必要的輔助裝置(例如供電裝置,氣體導入裝置等)在內的真空濺射設備的部件。

3.8靶target：用粒子轟擊的面。本標準中靶的意義就是濺射裝置中由濺射材料所組成的電極。

3.9擋板shutter：用來在時間上和(或)空間上限制鍍膜并借此能達到一定膜厚分布的裝置。擋板可以是固定的也可以是活動的。

3.10時控擋板timingshutter：在時間上能用來限制鍍膜,因此從鍍膜的開始、中斷到結束都能按規定時刻進行的裝置。

3.11掩膜mask：用來遮蓋部分基片,在空間上能限制鍍膜的裝置。

3.12基片支架substrateholder：可直接夾持基片的裝置,例如夾持裝置,框架和類似的夾持器具。

3.13夾緊裝置clamp：在鍍膜設備中用或不用基片支架支承一個基片或幾個基片的裝置,例如夾盤,夾鼓,球形夾罩,夾籃等。夾緊裝置可以是固定的或活動的(旋轉架,行星齒輪系等)。

3.14換向裝置reversingdevice：在真空鍍膜設備中,不打開設備能將基片、試驗玻璃或掩膜放到理想位置上的裝置(基片換向器,試驗玻璃換向器,掩膜換向器)。

3.15基片加熱裝置substrateheatingdevice：在真空鍍膜設備中,通過加熱能使一個基片或幾個基片達到理想溫度的裝置。

3.16基片冷卻裝置substratecoldingdevice：在真空鍍膜設備中,通過冷卻能使一個基片或幾個基片達到理想溫度的裝置。

4真空鍍膜設備

4.1真空鍍膜設備vacuumcoatingplant：在真空狀態下制取膜層的設備。

4.1.1真空蒸發鍍膜設備vacuumevaporationcoatingplant：借助于蒸發進行真空鍍膜的設備。

4.1.2真空濺射鍍膜設備vacuumsputteringcoatingplant：借助于真空濺射進行真空鍍膜的設備。

4.2連續鍍膜設備continuouscoatingplant：被鍍膜物件(單件或帶材)連續地從大氣壓經過壓力梯段進入到一個或數個鍍膜室，再經過相應的壓力梯段，繼續離開設備的連續式鍍膜設備。

4.3半連續鍍膜設備semi-continuouscoatingplant：被鍍物件通過閘門送進鍍膜室并從鍍膜室取出的真空鍍膜設備。